20220314-AEM
Extended “Adsorption–Insertion” Model: A New Insight into the Sodium Storage Mechanism of Hard Carbons
硬碳材料儲鈉機理前言：
(先插層再吸附)?insertion-fill, 由Stevens和Dahn最早提出(2000)，平臺區(qū)是由于鈉離子嵌入納米孔道，斜坡是由于鈉離子的層間嵌入；Komaba發(fā)現(xiàn)在斜坡區(qū)拉曼G峰紅移，驗證斜坡插層。
(先吸附再插層) adsorption-insertion, 曹玉良(2012)類比鋰電和鈉電的碳材料儲鈉方式，認為平臺是鈉離子嵌入脫出反應，斜坡是由于硬碳材料的表面吸附。
(先吸附再插孔) adsorption-fill,?Tarascon(2016)認為<?0.1V為填孔儲鈉，0.1-1 V為表面吸附，>1V 為雜原子缺陷吸附。這一類觀點支持斜坡吸附，平臺區(qū)填孔儲鈉。
本文亮點：
本文主要闡述硬碳材料(600-2500°C)的儲鈉機理，包括三種機理:1. (d002?>?0.4 nm) 高度無序碳材料--贗電容吸附儲鈉 ；2. (0.36 nm?<d002<?0.4 nm) 無序有序相結(jié)合--插層儲鈉 ；3. (d002?<?0.36?nm) 高度有序石墨碳--?不插層儲鈉?
Tips: 石墨層間--0.335 nm,
(徐斌組) Extended “Adsorption–Insertion” Model: A New Insight into the Sodium Storage Mechanism of Hard Carbons,?Adv. Energy Mater. (2019)?1901351. DOI:?
https://doi.org/10.1002/aenm.201901351
