MA4AGSW1
MA4AGSW1
MA4AGSW1
AlGaAs 反射式
MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強(qiáng)型 Al-GaAs 陽(yáng)極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng)的 AlGaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3 dB 的插入損耗降低。該制造工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應(yīng)。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽(yáng)極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計(jì)的理想選擇。這些多功能 AlGaAs PIN 開關(guān)可用于各種微波應(yīng)用，例如雷達(dá)系統(tǒng)、輻射計(jì)、測(cè)試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。13926596759? www.jchxdz.com
MACOM 的 MA4AGSW1 是一款射頻開關(guān)，頻率為 50 MHz 至 50 GHz，插入損耗為 0.2 至 0.6 dB，隔離度為 20 至 46 dB，電源電壓為 28 V。標(biāo)簽：表面貼裝，固態(tài)。
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特征
超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz
聚合物劃痕保護(hù)
氮化硅鈍化
MACOM 獨(dú)特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽(yáng)極技術(shù)。
低電流消耗
0.3分貝插入損耗
功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz
50 GHz 時(shí) 46 dB 隔離
-5V 低損耗狀態(tài)
+10mA 用于隔離狀態(tài)
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MA4AGSW1
描述
AlGaAs 反光
最小頻率(MHz)
50
最大頻率(MHz)
50000
插入損耗 (dB)
0.200
隔離度（分貝）
43
IIP3(dBm)
40
CW入射功率(W)
0.2
包裹類別
死
包裹
死
ROHS指令
是的
前一個(gè)：?MASW20000
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