在華林科納第一屆濕法培訓會中，寬帶隙半導體材料及制造領(lǐng)域?qū)＜依钇瘌Q博士帶我們一起了解氮化鎵的研究及進展。

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氮化鎵（GaN）的簡介：

氮化鎵(GaN) ：射頻半導體，支撐著5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設。

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1：更高的擊穿電場 （能承受幾百A）

2：更高的熱導率：Si的2倍

3：更高的電子飽和速率

4：更適合高溫、高頻、大功率及抗輻射器件

GaN主要特點：

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超高熔點：＞2500 ℃，耐腐蝕、耐壓 （1000 V）、耐熱（800 ℃）

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纖鋅礦結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定，高硬度

GaN 未來主要應用：

1、5G：

2、高功率高頻器件

3、激光雷達：如無人駕駛

4、Micro LED

GaN主要生長方法：

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氮化鎵襯底HVPE生長研究及進展：

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