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功率器件參數(shù)測試 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件

2022-10-09 15:30 作者:GRGTEST檢測  | 我要投稿

廣電計量積極布局第三代半導體功率器件的測試業(yè)務(wù),引進國際先進的測試技術(shù),為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件參數(shù)檢測服務(wù),助力器件國產(chǎn)化、高新化發(fā)展。測試項目包括:靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、熱特性、雪崩耐量、短路特性及絕緣耐壓測試;設(shè)備支持0-1500A,0-3000V的器件參數(shù)檢測,覆蓋MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等標準。

隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來應(yīng)用潛力巨大,這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平,更快的開關(guān)時間。

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測試周期:

根據(jù)標準、試驗條件及被測樣品量確定

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產(chǎn)品范圍:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

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測試項目:


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