砂輪劃片和激光劃片是硅片的兩種主要?jiǎng)澠绞?。從理論和工藝測(cè)試層面分析了兩種劃片工藝的優(yōu)缺點(diǎn)，提供了一種適合硅片劃片的方法。砂輪和激光復(fù)合劃片工藝方案，提供工藝參數(shù)和測(cè)量數(shù)據(jù)，具有良好的工程應(yīng)用價(jià)值。

1、硅片切割是集成電路封裝工藝中晶圓上多個(gè)芯片圖形切割工藝中的關(guān)鍵工序，要求芯片沿切割路徑完全分離。傳統(tǒng)的加工方法是在晶圓背面貼上一層藍(lán)膜，用砂輪刀片將晶圓完全切開(kāi)，不會(huì)劃傷藍(lán)膜。由于機(jī)械應(yīng)力的存在，切割槽的背面容易出現(xiàn)崩刃。此外，對(duì)于切割通道中帶有玻璃和低K電介質(zhì)等保護(hù)層的晶圓，保護(hù)層容易開(kāi)裂脫落，影響芯片性能。

2、激光劃片屬于非接觸式加工，不會(huì)產(chǎn)生崩刃、刀具磨損和水污染，但熱影響和夾渣是不可忽視的問(wèn)題。即使冷加工355nm紫外激光或超快激光，仍具有一定的熱效應(yīng)。另一個(gè)考驗(yàn)是激光聚焦無(wú)法精確控制到刀具的深度，晶圓完全切穿時(shí)，藍(lán)膜往往會(huì)被破壞，影響后續(xù)的晶體膨脹過(guò)程。使用特殊的激光切割膠帶可以在一定程度上解決這個(gè)問(wèn)題，但余熱必須控制在膠帶的損壞閾值內(nèi)，使用膠帶增加了生產(chǎn)成本。

結(jié)合二款設(shè)備砂輪劃片和激光劃片的優(yōu)點(diǎn)。硅晶片切割劃片更加建議采用砂輪劃片機(jī)來(lái)進(jìn)行切割加工，有效的保障產(chǎn)品的成功率，通過(guò)大量的工藝測(cè)試和測(cè)量分析，驗(yàn)證了該方法可以達(dá)到理想的加工質(zhì)量。