5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是 1996年問世的用于巨型電力電子成

套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是一 種基于GTO結(jié)構(gòu)、利用集成柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵極硬驅(qū)動、采用緩沖層結(jié)構(gòu)及陽極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功

半導(dǎo)體開關(guān)器件,具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關(guān)特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了緩沖結(jié)構(gòu)以及淺層發(fā)射極技術(shù),

因而使動態(tài)損耗降低了約50%，另外，此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態(tài)特性的續(xù)流二_極管，從而以其獨特的方式實現(xiàn)了晶閘管的低通態(tài)

壓降、高阻斷電壓和晶體管穩(wěn)定的開關(guān)特性有機(jī)結(jié)合.

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、 開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和柵極驅(qū)動電路集成在一起，再與其柵極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接,結(jié)合

了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。5SHY4045L0001

3BHB0181 62R0001具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、損耗低等特點， 而且造成本低,成品率高,有很好的應(yīng)用前景。

5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶閘管技術(shù)的GTO是常用的大功率軒關(guān)器件，它相對于采用晶體管技術(shù)的IGBT在截止電壓上有更高的性

能，但曠泛應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)GTO驅(qū)動技術(shù)造成不均勻的開通和關(guān)斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅(qū)動單元,因而造成可靠

性下降，價格較高,也不利于串聯(lián)。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是,在大功率MCT技術(shù)尚未成熟以前，IGCT已經(jīng)成為高壓大功率低頻

交流器的優(yōu)選方案。