書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：InSb中Be離子注入成結(jié)研究

編號(hào)：JFKJ-21-269

作者：炬豐科技

介紹 ?

? 本論文的目的是建立基本原則和制造程序?qū)⒆鳛檠芯康幕A(chǔ)。本文的研究為本文的研究提供了參考框架，將引導(dǎo)進(jìn)一步研究先進(jìn)的技術(shù)，改進(jìn)體InSb光電探測(cè)器性能以及極化和等離子體結(jié)構(gòu)的結(jié)合 。

電磁波譜 ?

熱探測(cè)器的優(yōu)缺點(diǎn) ????略

光電探測(cè)器????略