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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集28

2021-09-09 10:14 作者:華林科納  | 我要投稿

一:光刻膠清潔工藝

二:Marangoni干燥模型

三:薄膜晶體管中的光刻技術(shù)

四:GaAs 薄晶圓的強(qiáng)度改進(jìn)

五:GaAs 和GaN 的濕熱氧化

六:GaAs表面的光電化學(xué)鈍化

七:GaN 的簡(jiǎn)單濕法蝕刻

八:半導(dǎo)體晶圓鍵合

九:單晶片光刻膠去除技術(shù)

十:晶圓清洗工藝發(fā)展的分析

十一:超寬帶隙半導(dǎo)體

十二:臭氧清洗的半導(dǎo)體表面

十三:微納米光刻技術(shù)研究進(jìn)展

十四:單晶片的鋁清洗

十五:單晶片處理中的無損傷清潔

十六:半導(dǎo)體制造超聲波清洗方法

十七:薄晶圓處理挑戰(zhàn)和新解決方案

十八:超細(xì)金屬顆粒在硅片表面的行為

十九:CMP清洗工藝中的顆粒粘附和去除機(jī)制

二十:超臨界二氧化碳清洗晶圓工藝


《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集28的評(píng)論 (共 條)

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