英特爾在2021年7月份的英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，公布了最新的工藝路線圖。其中Intel 4制程節(jié)點（之前的7nm SuperFin）將采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)，可使用超短波長的光，每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn)，可應(yīng)用下一代Foveros和EMIB封裝技術(shù)，相比Intel 7制程節(jié)點可提供翻倍的晶體管密度。

據(jù)The Elec報道，英特爾相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，對Intel 4工藝量產(chǎn)充滿信心，認(rèn)為英特爾能夠控制工藝的復(fù)雜性，已經(jīng)實現(xiàn)了高于預(yù)期的良品率。與Intel 7制程節(jié)點注重提高性能不同，Intel 4制程節(jié)點是一種更側(cè)重能效表現(xiàn)的工藝，對比筆記本電腦等設(shè)備會非常有利。

英特爾稱很難將Intel 4與其他晶圓代工廠的現(xiàn)有制程節(jié)點比較，PPA方面只是參考了外部基準(zhǔn)測試。同時英特爾表示，已經(jīng)有足夠的極紫外光刻生產(chǎn)能力來滿足市場的需求，包括未來的Intel 3工藝，對于接下來幾年的生產(chǎn)安排已有詳細(xì)的計劃。

有研究公司表示，雖然英特爾在Intel 4工藝只是其首次采用極紫外光刻技術(shù)，但I(xiàn)ntel 4工藝的芯片在性能上優(yōu)于臺積電現(xiàn)有的5nm工藝，可以與更為先進(jìn)的3nm工藝相媲美。英特爾即將面向消費市場發(fā)布Meteor Lake，不但首次采用了模塊化設(shè)計，而且還會采用Intel 4工藝制造。