書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：發(fā)光二極管材料生長技術(shù)

編號(hào)：JFKJ-21-312

作者：炬豐科技

摘要

? 經(jīng)過近十年的探索, 硅襯底高光效 GaN 基藍(lán)光 LED 材料生長技術(shù)及其薄膜型芯片制造技術(shù), 制備了內(nèi)量子效率和取光效率均高達(dá) 80%的單面出光垂直結(jié)構(gòu) GaN 基藍(lán)LED, 并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化和商品化, 成功地應(yīng)用于路燈、球炮燈、礦燈、筒燈、手電等領(lǐng)域。

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關(guān)鍵詞 硅襯底, 高光效, 氮化鎵, 發(fā)光二極管

硅襯底選區(qū)生長技術(shù)

襯底選擇與圖形化

? 由于 Si(111)面與 GaN(0001)面具有三角對稱關(guān)系, 因此 Si(111)襯底是生長 C 面 GaN 的最佳選擇. 其他晶面的Si 襯底由于缺乏這種對稱性而不太適合生長, 也有研究者開展了這方面的研究工作。

過渡層選擇 ???略

位錯(cuò)控制 ?????略

應(yīng)力控制 ?略

大尺寸硅襯底 GaN 基 LED 波長均勻性 ???略

垂直結(jié)構(gòu)薄膜 LED 芯片制造?

目前市場上大量銷售和使用的藍(lán)、綠光 LED 芯片是藍(lán)寶石襯底 GaN 基同側(cè)電極結(jié)構(gòu) LED. 此類芯片在顯示、背光以及小功率白光照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛, 表現(xiàn)出了較為理想的性價(jià)比。

歐姆接觸技術(shù)

歐姆接觸電極制作是 LED 芯片制造過程中至關(guān) 重要的環(huán)節(jié), 歐姆接觸特性的好壞對 LED 光電性能 有重要影響. 下面分別介紹硅襯底垂直結(jié)構(gòu) LED 芯 片 p 型和 n 型歐姆接觸電極制作技術(shù).

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