編輯-Z

7N60極限參數(shù)：

?

（1）IDSM，最大漏源電流，是指場(chǎng)效應(yīng)管7N60正常工作時(shí)，漏源之間允許通過的最大電流。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。該參數(shù)會(huì)隨著結(jié)溫的升高而降額；

（2）IDM，最大脈沖漏源電流，7N60這個(gè)參數(shù)會(huì)隨著結(jié)溫的升高而降額；

（3）PDSM，最大耗散功率，是指7N60性能不惡化時(shí)允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM，并有一定的余量。該參數(shù)通常會(huì)隨著結(jié)溫的升高而降低；

（4）VGS，最大柵源電壓，當(dāng)柵源之間的反向電流開始急劇增加時(shí)的電壓值。結(jié)型MOS管正常工作時(shí)，柵極和源極之間的PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，電流過大，會(huì)發(fā)生擊穿；

（5）Tj，最高工作結(jié)溫，通常為150℃或175℃，在器件設(shè)計(jì)的工作條件下，必須避免超過此溫度，并應(yīng)保留一定的余量；

（6）TSTG，儲(chǔ)存溫度范圍。

?

7N60除上述參數(shù)外，還有電極間電容（MOS管三個(gè)電極之間的電容，數(shù)值越小管子的性能越好）、高頻參數(shù)等參數(shù)。

?

7N60靜態(tài)參數(shù)：

?

（1）V(BR)DSS，漏源擊穿電壓，是指當(dāng)柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管7N60所能承受的最大漏源電壓。這是一個(gè)極限參數(shù)，工作電壓施加到FET必須小于V(BR) DSS。它具有正溫度特性。因此，該參數(shù)在低溫下的值應(yīng)作為安全考慮。

（2）RDS(on)，在特定的VGS（通常為10V）、結(jié)溫和漏極電流的條件下，MOS管7N60導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的最大電阻。這是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了MOS管7N60開啟時(shí)的功耗。該參數(shù)通常隨著結(jié)溫的增加而增加。因此，該參數(shù)在最高工作結(jié)溫下的值應(yīng)作為損耗和壓降計(jì)算；

（3）VGS(th)，開啟電壓（閾值電壓）。當(dāng)施加的柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時(shí)，漏極區(qū)和源極區(qū)的表面反型層形成連通溝道。在應(yīng)用中，在漏極短接的情況下，ID等于1mA時(shí)的柵極電壓通常稱為導(dǎo)通電壓。這個(gè)參數(shù)一般會(huì)隨著結(jié)溫的升高而降低；

（4）IDSS，飽和漏源電流，柵極電壓VGS=0且VDS為一定值時(shí)的漏源電流，一般為微安級(jí)。由于MOS管的輸入阻抗較大，IGSS一般在納安級(jí)。