編輯：ll

10N65-ASEMI高壓場效應(yīng)MOS管10N65

型號：10N65

品牌：ASEMI

封裝：TO-220

最大漏源電流：10A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：0.9Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

10N65場效應(yīng)管

10N65的電性參數(shù)：最大漏源電流10A；漏源擊穿電壓650V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，Id=10A

RDS（開）:0.9? （最大值）@VG=10V