7N80詳細參數(shù)：

型號：ASEMI場效應(yīng)管7N80

漏源電壓（VDS）：800V

柵源電壓（VGS）：±30V

漏極電流-持續(xù)（TC=25°C）（ID）：7A

漏極脈沖電流（IDM）：28A

耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W

雪崩電流（IAR）：7A

貯存溫度范圍（TSTG）：-55 to +150℃

芯片對管殼熱阻（RθJC）：0.89℃/W

芯片對環(huán)境的熱阻（RθJA）：62.5℃/W

漏源擊穿電壓（BVDSS）：800V

漏源擊穿電流（IDSS）：1uA

柵源漏電流（IGSS）：±100nA

柵極開啟電壓（VGS(th)）：5V

導通電阻（RDS(on)）：1.9Ω

輸入電容（Ciss）：1178pF

輸出電容（Coss）：133pF

開啟上升時間（tr）：35ns

關(guān)斷下降時間（tf）：32ns

柵極電荷量（QG）：50nC

源-漏二極管壓降（VSD）：1.4V

反向恢復時間（trr）：320nS

反向恢復電荷（Qrr）：2.4uC

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7N80性能特點：

開關(guān)速度快

低導通電阻

低反向傳輸電容

低柵極電荷量

100%單脈沖雪崩能量測試

提升了dv/dt能力

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7N80機械性能：

注塑成型封裝

適用任何位置安裝

封裝材料符合UL 94V-0燃燒防火等級標準

加工焊接峰值最高溫度 275°C ；時間丌大于 10s

封裝形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263