有3點(diǎn)不同，相關(guān)介紹具體如下：

一、兩者的特點(diǎn)不同：

1、物理氣相沉積法的特點(diǎn)：物理氣相沉積法的沉積粒子能量可調(diào)節(jié)，反應(yīng)活性高。通過等離子體或離子束介人，可以獲得所需的沉積粒子能量進(jìn)行鍍膜，提高膜層質(zhì)量。通過等離子體的非平衡過程提高反應(yīng)活性。

2、化學(xué)氣相沉積法的特點(diǎn)：能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強(qiáng)膜是很重要的。

二、兩者的實(shí)質(zhì)不同：

1、物理氣相沉積是制備材料常見的方法，是一種利用氣相中發(fā)生的物理、化學(xué)變化，在物件表面形成具有特殊性能 (例如超硬耐磨層或具有特殊的光學(xué)、電學(xué)性能)的金屬或化合物涂層的技術(shù)。

兩種沉積技術(shù)最主要的區(qū)別在于是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。?

2、化學(xué)氣相沉積（Chemical vapor Deposition, CVD）技術(shù)中，沉積原料并不是基片上沉積的物質(zhì)， 必須通過化學(xué)反應(yīng)再在基片上沉積。 而物理氣相沉積（Physical vapor Deposition, PVD），并不需要發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其只是通過各種方法（如加熱蒸發(fā)，濺射等等），將源材料氣化，然后沉積于基片表面成膜， 沉積前后的物質(zhì)都是一樣的。

三、兩者的應(yīng)用不同：

1、物理氣相沉積法的應(yīng)用：物理氣相沉積技術(shù)已廣泛用于各行各業(yè)，許多技術(shù)已實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。

2、化學(xué)氣相沉積法的應(yīng)用：化學(xué)氣相沉積法的鍍膜產(chǎn)品涉及到許多實(shí)用領(lǐng)域。