書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：LED 電流性能

編號(hào)：JFKJ-21-305

作者：炬豐科技

引言

? 氮化物材料系具有優(yōu)越的性能，GaN 基器件的制備與應(yīng)用已經(jīng)在各個(gè)領(lǐng)域取得顯著的研究進(jìn)展。將 GaN 外延膜轉(zhuǎn)移到新的基板上獲得垂直結(jié)構(gòu)的 LED 器件，相對(duì)同側(cè)結(jié)構(gòu)器件能明顯改善各項(xiàng)光電性能。

實(shí)驗(yàn)

? 實(shí)驗(yàn)所用外延片為藍(lán)寶石圖形襯底上用 MOCVD 方法外延生長(zhǎng)的藍(lán)光 InGaN /GaN 多量子阱外延片，包含 1．2 μm GaN 低溫緩沖層。

結(jié)果與分析

1 I-V 特性分析

? 圖 2 是樣品在不同溫度( 100 K、125 K、150 K、200 K、300 K、350 K) 下的正向伏安特性曲線，從圖 2 可以看出，隨著溫度的降低，相同電流下的電壓升高。

LED分析

? 圖 3a 是不同環(huán)境溫度下的光強(qiáng)與電流的關(guān)系，圖 3b 是 不同電流下的光強(qiáng)( 歸一化) 與環(huán)境溫度的關(guān)系。圖 3a 展示 了 100 ～ 300 K 下電流增加到 750 mA，樣品的光強(qiáng)沒(méi)有出現(xiàn) 飽和現(xiàn)象。

EL 光譜分析

? 圖 6 是 0．05 mA、0．1 mA、11 mA、75 mA、100 mA、200 mA 及不同溫度下的電致發(fā)光( EL) 光譜，圖 6 中的實(shí)線是實(shí)測(cè)光 譜，其多峰現(xiàn)象是 Fabry-Perot 干涉引起的，虛線是其高斯擬合曲線。

結(jié)論 ??略