書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：電化學(xué)銅沉積室設(shè)計(jì)優(yōu)化薄膜均勻性

編號(hào)：JFKJ-21-283

作者：炬豐科技

摘要

? 本文研究了燃燒室設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)非均勻性的影還研究了電化學(xué)沉積Cu薄膜的方法通過模擬薄膜生長(zhǎng)過程進(jìn)行定量分析。這些參數(shù)包括腔體幾何形狀、電解液流動(dòng)路徑、電極配置、電場(chǎng)劃分和隔離。進(jìn)一步研究了堿性工藝的優(yōu)化參數(shù)如沉積電流和電流分布電極。

介紹 ?

? 電化學(xué)沉積銅金屬化技術(shù)已逐漸取代鋁在超大規(guī)模集成電路制造中金屬化以形成互連在電阻種子層上電鍍均勻的銅膜越來(lái)越困難更大的襯底，由于一種稱為“終端效應(yīng)”的現(xiàn)象。

理論與模型制定 ?

模擬和討論

電極排列

結(jié)論???略