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ASEMI快恢復(fù)二極管US1G參數(shù),us1g封裝,us1g資料

2022-01-13 15:56 作者:強元芯  | 我要投稿

編輯-Z

ASEMI快恢復(fù)二極管US1G參數(shù)

型號:US1G

最大重復(fù)峰值反向電壓(VRRM):400V

最大有效值電壓(VRMS):280V

最大直流阻斷電壓(VDC):400V

最大平均正向整流電流(I(AV)):1A

峰值正向浪涌電流(IFSM ):30A

最大瞬時正向電壓(VF):1.3V

額定最大直流反向電流(IR):5uA

典型的反向恢復(fù)時間(trr):50nS

典型結(jié)電容(CJ):20pF

典型熱阻(RθJA ):88℃/W

工作結(jié)溫(TJ):-55 to +150℃

儲存溫度范圍(TSTG):-55 to +150℃

?


US1G封裝尺寸:

總長度:5.28mm

本體長度:4.6mm

引腳寬度:1.6mm

寬度:2.9mm

高度:2.62mm

?

US1G特征資料

塑料包裝有保證實驗室可燃性分類94V-0

內(nèi)置應(yīng)力消除裝置,非常適合自動放置

玻璃鈍化芯片結(jié)

快速切換以實現(xiàn)高效率

高溫焊接260 / 10秒


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